בחדר העיבוד, ישנו שבב SiC בגודל 150 ממ, הנמצא בתוך תא הליתוגרפיה, מוכן לעיבוד. שינוי של מספר מעט של מעלות בטמפרטורה עלול לפגוע בשליטה בממדים החשובים של השבב, וזה עלול לגרום לנזקים כבדים. לכן, המנורה שמשמשת לחימום לא יכולה להיות סתם מקור חום – עליה לפעול כמכשיר תרמי אמין וחזרתי.
מה חשוב באמת? עיצבנו את המנורה לעיבוד שבבי SiC כך שהיא תשתמש בגופי פליטה של אינפרא-אדום בגלים קצרים, המונחים במעטפת קוורץ. כך ניתן להשיג אחידות בטמפרטורה של ±0.1°C בכל אזור העיבוד, ואף אחידות ברמת הטמפרטורה של ±0.5°C בין סדרות שונות של שבבים. צפיפות האנרגיה של המנורה מותאמת לתהליכי עיבוד הפוטורזיסט, והטמפרטורה נשמרת לאורך 5,000 שעות ויותר, עם ירידה של פחות מ-5% בהספק. המנורה מתאימה לשימוש בחדרי עבודה מסוג Class 1–100, והחיבורים בין חלקי המנורה מונעים ייצור של חלקיקים במהלך העבודה.
למה זה מתאים לעיבוד שבבי SiC? עיבוד שבבי SiC דורש שליטה קפדנית בטמפרטורה, ועלות העיבוד של כל שבב היא גבוהה. המנורה הזו מאפשרת שליטה מדויקת בטמפרטורה, כך שאין סיכוי לטעויות בעיבוד, וזה מקטין את כמות השבבים הפגומים. המנורה מאפשרת עלייה מהירה בטמפרטורה, מה שמקצר את זמן העיבוד, והפליטה היציבה שלה מפחיתה את צריכת האנרגיה. העיצוב של המנורה מותאם לסטנדרטים הבינלאומיים של ציוד לעיבוד שבבים, כך שניתן להחליף אותה בלי לבצע בדיקות נוספות.
כמה טיפים מעשיים: ההתקנה כוללת התאמה של אינטרפייס החיבורים של המנורה למכשיר, ווידוא שהמתח הנדרש מסופק. חיבורים לא נכונים עלולים לפגוע באחידות הטמפרטורה. המנורה יכולה לעבוד עם תחנות עיבוד סטנדרטיות, אך יש להתאים את גאומטריית המחזיר לגודל השבב. כדאי לבצע כיול מהיר לאחר ההתקנה, כדי לוודא שהמנורה עובדת כראוי.