בחדר העיבוד, ישנו שבב SiC בגודל 150 ממ, הנמצא בתוך תא הליתוגרפיה, מוכן לעיבוד. שינוי של מספר מעט של מעלות בטמפרטורה עלול לפגוע בשליטה בממדים החשובים...

במפעלי הייצור, פרופילי החימום של חומרי הציפוי אינם עניין של בחירה – אלא הם הגורם שקובע האם יהיה ייצור מוצלח או שהמוצרים ייזרקו לפח. שינוי של 2°C...

Role את הקו, אותו וופר בגודל 300mm ממתין לאפייה רכה — השלב שמייצב את פרופיל הפוטורזיסט. סטייה של 2°C בלבד עלולה לפגוע בממדים הקריטיים ולגרום לזריקה...