در خط تولید، ویفرهای SiC به قطر ۱۵۰ میلیمتر در دستگاه لیتوگرافی قرار دارند و آماده فرآیند پختن رزیست فوتوگرافیک هستند. حتی کمترین تغییر در دما میتواند باعث اختلال در کنترل ابعاد مهم ویفر شود و هزینههای زیادی را برای شما به همراه داشته باشد. بنابراین، لامپ گرمایشی نباید صرفاً منبع گرما باشد؛ بلکه باید مانند یک دستگاه اندازهگیری دقیق عمل کند.
نکات مهم درباره این لامپ
لامپ گرمایشی مورد استفاده برای پردازش ویفرهای SiC، از امیترهای اینفرارد با طول موج کوتاه درون پوشش کوارتز ساخته شده است؛ این امیترها برای پاسخگویی سریع و تولید خروجی پایدار طراحی شدهاند. در نتیجه، یکنواختی دما در سطح ویفر در محدوده ±۰.۱ درجه سانتیگراد حاصل میشود؛ همچنین، تکرارپذیری دما نیز در محدوده ±۰.۵ درجه سانتیگراد است. تراکم انرژی این لامپ متناسب با الگوهای پختن رزیست فوتوگرافیک است؛ همچنین، پروفایل حرارتی آن حتی پس از ۵٬۰۰۰ ساعت کارکرد نیز تغییری نمیکند و کاهش خروجی کمتر از ۵٪ خواهد بود. این لامپ با استانداردهای اتاقهای تمیز درجه ۱ تا ۱۰۰ سازگار است؛ همچنین، اتصالات آن به گونهای طراحی شدهاند که در حین کار، تولید ذرات در آن صفر باشد.
چرا این لامپ مناسب پردازش ویفرهای SiC است؟
فرآیند پردازش ویفرهای SiC نیازمند کنترل دقیق دما است؛ همچنین، هزینه تولید هر ویفر نیز بسیار بالاست. این لامپ دقت لازم برای کنترل الگوهای پختن رزیست فوتوگرافیک را فراهم میکند؛ در نتیجه، میزان مواد باطله و کارهای تکراری کاهش مییابد. سرعت بالای این لامپ باعث کاهش زمان فرآیند میشود؛ همچنین، پخش یکنواخت گرما باعث کاهش مصرف انرژی میشود. طراحی این لامپ مطابق با استانداردهای بینالمللی تجهیزات نیمههادی است؛ بنابراین میتوان آن را بدون نیاز به تغییرات در ساختار کلی دستگاه، جایگزین لامپهای موجود کرد.
نکات عملی
نصب این لامپ نیازمند تطابق رابط اتصال دستگاه با لامپ است؛ همچنین، باید ولتاژ ورودی لامپ نیز بررسی شود؛ در صورت عدم تطابق، یکنواختی دما مختل خواهد شد. این لامپ با ایستگاههای پختن استاندارد نیز سازگار است؛ اما باید هندسه منعکسکننده لامپ با اندازه ویفر هماهنگ شود. پس از جایگزینی لامپ، باید یک کالیبراسیون سریع انجام شود تا الگوهای پختن مناسب فرآیند شما تنظیم شوند.