ফ্যাব ফ্লোরে, ১৫০ মিমি আকারের SiC ওয়েফারগুলো লিথোগ্রাফি সেলে রাখা থাকে; এগুলো ফটোরেজিস্ট বেক প্রক্রিয়ার জন্য প্রস্তুত থাকে। মাত্র কয়েক ডিগ্রি তাপমাত্রার পরিবর্তনও ওয়েফারের আকার নিয়ন্ত্রণকে ব্যাহত করতে পারে; এর ফলে ব্যয়ও বেড়ে যায়। তাই হিটার ল্যাম্পটি শুধুমাত্র তাপ উৎপন্ন করার জন্য ব্যবহৃত হয় না—এটা অবশ্যই একটি নির্ভরযোগ্য তাপীয় যন্ত্র হিসেবে কাজ করতে হবে।
কী গুরুত্বপূর্ণ?
আমরা SiC ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণের জন্য এমন হিটার ল্যাম্প তৈরি করেছি, যেখানে কোয়ার্টজ আবরণে স্বল্প-তরঙ্গদৈর্ঘ্যের ইনফ্রারেড হ্যালোজেন এমিটার ব্যবহৃত হয়েছে। এর ফলে বেক জোনে ওয়েফারের তাপমাত্রা ±০.১°C এর মধ্যে থাকে; আর লট থেকে লটে তাপমাত্রার পরিবর্তন ±০.৫°C এর মধ্যে থাকে। পাওয়ার ডেনসিটি ফটোরেজিস্ট সফ্ট/হার্ড বেক প্রক্রিয়ার জন্য উপযুক্ত; আর ৫,০০০ ঘণ্টারও বেশি সময় ধরে এটা কাজ করতে পারে, আউটপুট হ্রাস হয় মাত্র ৫% এর মধ্যে। এটা ক্লাস ১–১০০ এর ক্লিনরুমে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত; এর বন্ধনীগুলো অপারেশনের সময় কোনো ধূলিকণা উৎপন্ন না হওয়ার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।
কেন SiC প্রক্রিয়ার জন্য এটা উপযুক্ত?
SiC ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণে তাপ নিয়ন্ত্রণ খুবই গুরুত্বপূর্ণ; আর প্রতি ওয়েফারের খরচও অনেক বেশি। এই ল্যাম্পটি ফটোরেজিস্ট বেক প্রক্রিয়াকে নিয়ন্ত্রণ করতে সাহায্য করে; ফলে অপ্রয়োজনীয় ওয়েফার নষ্ট হয় না। দ্রুত তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ করার ফলে প্রক্রিয়ার সময় কমে যায়; আর স্থিতিশীল তাপ নিয়ন্ত্রণের ফলে শক্তি সাশ্রয় হয়। এটা আন্তর্জাতিক সেমিকন্ডাক্টর সরঞ্জামগুলোর মানদণ্ড অনুযায়ী ডিজাইন করা হয়েছে; তাই পুরো যন্ত্রটিকে পুনর্মূল্যায়ন না করেই এটা ব্যবহার করা যায়।
কিছু ব্যবহারিক নির্দেশনা
ইনস্টলেশনের সময় যন্ত্রের কানেক্টর ইন্টারফেস ঠিকভাবে মিলিয়ে নেওয়া প্রয়োজন; অন্যথায় ওয়েফারের তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ করা কঠিন হয়ে যাবে। এই ল্যাম্পটি স্ট্যান্ডার্ড বেক স্টেশনগুলোর সাথে কাজ করে; কিন্তু রিফ্লেক্টরটিকে ওয়েফারের আকারের সাথে সামঞ্জস্য করতে হবে। ল্যাম্পটি ইনস্টল করার পর দ্রুত ক্যালিব্রেশন করে প্রক্রিয়াটিকে সঠিকভাবে নিয়ন্ত্রণ করা উচিত।