ファブの現場では、フォトレジストのベイクプロファイルは単なる好みの問題ではありません。それは、製品の歩留まりを左右する重要な要素です。ソフトベイクやハードベイクの際に2℃ほどの温度変動があるだけで、CDの位置がずれたり、スカムが発生したりして、全体の製品が廃棄されてしまうこともあります。私たちは、このような不確実性を排除するために、グラフェン処理用の赤外線ランプを開発しました。
技術的に重要な点 これらのランプは、迅速かつ制御可能な熱応答を実現するために、近赤外線を放出します。その結果、ベイク面全体でウェーハの温度が±0.1℃以内に統一されます。また、グラフェンエミッターは数千時間にわたって安定した放射性能を維持し、5,000時間以上使用しても出力の低下は5％未満です。
さらに、クラス1～100のクリーンルーム規格に適合し、粒子の発生がない上、再現性の高い温度上昇特性を持っているため、プロセスの精度が保たれます。電力や電圧、サイズも既存の設備に合わせて調整可能なので、導入時に新たに設計する必要はありません。
なぜこれがリソグラフィーに適しているのか リソグラフィーでは、溶剤を効率的に除去しつつ、ウェーハの再溶解を防ぐソフトベイクと、表面に膜ができることなく硬化させるハードベイクが必要です。私たちのランプは、目標温度に迅速に到達し、安定して温度を維持し、予測可能に冷却するため、すべてのウェーハが同じ熱条件を得られます。
これにより、オーバーレイ精度が向上し、再加工の回数が減少し、作業サイクルの計画が立てやすくなります。また、システムは必要に応じてのみ加熱され、温度の過剰な上昇が抑えられるため、エネルギー消費も削減されます。さらに、エミッターの寿命が長いため、予備部品の在庫やメンテナンスの必要性も少なくなります。
事前に知っておくべきこと これらのランプは、国際的な半導体装置の標準に合致して設計されており、従来のハロゲン/クォーツ式赤外線光源に代わる信頼性の高い代替品です。設置時には、反射器の形状や光学経路の距離を正しく調整する必要があります。焦点距離を確認せずにランプを交換すると、加熱領域が変わってしまいます。
チャンバーの形状や冷却ファンの流れ、インターロック機能を考慮して設置計画を立てることで、粒子の発生を抑え、稼働時間を延ばすことができます。