Вафля on Five-Star Infrared Heating Systems

Лампа для нагріву пластин SiC під час їх обробки

Thu, 02 Jul 2026 03:01:43 +0800

На заводі з виробництва кристалів SiC є пластини розміром 150 мм, які знаходяться у пристрої для літографії та готові до процедури обробки фотоотповідником. Навіть незначне зміщення температури на кілька градусів може порушити контроль за критичними параметрами, що призведе до значних втрат. Тож лампа-нагрівач не може бути просто джерелом тепла – вона повинна функціонувати як точний термічний пристрій.

Що є важливим у конструкції
Ми створили лампу-нагрівач для обробки пластин SiC на основі короткохвильових інфрачервоних галогенових випромінювачів, розміщених у кварцовому корпусі. Це забезпечує швидку реакцію та стабільну потужність випромінювання. У зоні нагріву досягається однорідність температури на рівні ±0,1°C, а точність регулювання температури становить ±0,5°C між серіями продукції. Швидкість передачі енергії підлаштовується під потреби процедур м’якого та жорсткого нагріву фотоотповідника. Термічний профіль залишається стабільним протягом 5 000+ годин, з втратою потужності менше 5%. Корпус лампи сумісний з умовами чистої кімнати класу 1–100; наявні спеціальні елементи для запобігання утворенню частинок під час роботи.

Інфрачервоний цоколь лампи для ваферного інструменту

Tue, 09 Jun 2026 00:56:58 +0800

На підкладці для wafer тепловий дрейф під час попереднього випікання фотошаблону або сушіння wafer не просто уповільнює лінійну швидкість. Він спричиняє дефекти на wafer — дефекти, які ви не можете допустити.
Інфрачервоні розетки для lamp wafer-інструментів сконструйовані для однієї задачі: підтримувати температуру процесу на потрібному рівні — стабільну, відтворювану та в межах теплового бюджету плівки.
Що дійсно важливо «під капотом»
Ми використовуємо короткохвильові інфрачервоні випромінювачі в парі з кварцовою розеткою і геометрією рефлектора, що спрямовує тепло туди, де потрібно — швидко та спрямовано — без гарячих плям.
Це дає рівномірність на рівні wafer із точністю ±0,1°C по всій зоні випікання. Набір температури регулюється, тож розчинники повністю видаляються з фотошаблону під час м’якого випікання, а профіль шару залишається стабільним після твердого випікання.
Інтерфейс розетки адаптований під установку в інструменти: компактний розмір, стандартне кріплення та надійний електричний контакт. В результаті отримуєте стабільний вихідний потік лот за лотом.
Чому це джерело тепла виправдовує своє призначення
Це тепло, на яке можна покластися на етапах, які не можна псувати: сушіння wafer без розводів води, м’яке випікання, яке задає товщину і адгезію резисту, та відпал, що фіксує візерунок перед травленням.
Висока точність критична, оскільки передозування випікання зміщує критичні розміри, а недо- випікання залишає розчинник — у підсумку виникають дефекти у вигляді відшарування або підіймання.
Наш інфрачервоний підхід мінімізує теплову інерцію, скорочує час циклу та знижує кількість частинок у чистих приміщеннях класу 1–100. Пристрої працюють понад 5 000 годин з падінням продуктивності менше ніж на 5%, що означає менше замін lamp і менше незапланованих простоїв.
Деталі, які убезпечують процес
Інфрачервоне випромінювання дає швидкість і рівномірність, але потребує суворого теплового контролю.
Монтуйте розетку із заданим зазором, щоб сусідні компоненти не перегрівалися, і підбирайте випромінювач відповідно до напруги інструменту та профілю охолодження.
Заплануйте короткий пусковий цикл для налаштування профілю випікання відповідно до вашого шару резисту. Як тільки параметри встановлені, вікно процесу залишається вузьким, передбачуваним і стабільним.

Лампа нагріву пластини силового пристрою

Sat, 06 Jun 2026 01:02:38 +0800

На виробничому майданчику навіть незначне відхилення при випічці фотоелементів може знизити вихід продукції до того, як ви це побачите на лінії. Для кремнієвих пластин потужних пристроїв тепловий бюджет є обмеженим — ваша нагріваюча лампа повинна підтримувати одну й ту ж температуру, цикл за циклом, партія за партією. Ніякого дрейфу. Ніяких сюрпризів.

Що важливо під капотом

Ми використовуємо короткохвильові галогенні елементи всередині кварцової оболонки, налаштовані на швидке, чисте радіантне тепло. Система забезпечує однорідність на рівні пластини в межах ±0,1°C, швидко досягає заданого значення та утримує його під навантаженням. Вона розроблена для чистих приміщень класу 1–100: матеріали з низьким виділенням газів і геометрія, яка зменшує утворення часток. Вихідні показники повторюються для роботи в режимі 24/7, з тривалим терміном служби елементів і стабільним спектральним виходом — тому ваші профілі м’якої і твердої випічки залишаються послідовними.

Оптичний нагрівач для обробки пластин

Tue, 02 Jun 2026 03:46:21 +0800

Out on the line, that 300mm wafer sits waiting for its soft bake—the step that locks in the photoresist profile. A 2°C drift is all it takes to blow critical dimensions and scrap the whole lot. We built our optical wafer processing heaters to keep that from ever happening.
Ось на лінії 300-мм пластина чекає на м’який випік — етап, що фіксує профіль фоточутливого шару. Дрейф усього на 2°C достатній, щоб пошкодити критичні розміри та списати всю партію. Ми розробили оптичні нагрівачі для обробки пластин, щоб уникнути таких ситуацій.