SiC waferverwerkingverwarmingslamp

Thu, 02 Jul 2026 03:01:43 +0800

Op de productieafdeling ligt er een SiC-wafer van 150 mm in de lithografiecel, klaar voor verhitting met fotoresistent. Een temperatuurverschil van maar een paar graden kan de controle over de kenmerken van de wafer verstoren, waardoor er veel kosten gemoeid zijn. Daarom mag de verwarmingslamp niet zomaar als warmtebron dienen – hij moet eerder functioneren als een betrouwbare thermische instrument.

Wat belangrijk is We hebben de verwarmingslamp ontworpen met behulp van korte infrarode halogeenemitters die zich bevinden in een kwartsomhulsel. Hierdoor heeft de lamp een snelle reactietijd en een stabiele uitstoot. De uniformiteit van de temperatuur op het oppervlak van de wafer is dan ook ≤±0,1°C over de hele verhittingzone. De nauwkeurigheid van de ingestelde temperatuur bedraagt ±0,5°C per batch. De vermogensdichtheid is aangepast aan de vereisten voor zowel zachte als harde verhitting van de fotoresistent. Na 5.000 uur gebruik blijft de thermische prestatie nog steeds goed, met minder dan 5% daling in de uitstoot. Het apparaat is geschikt voor gebruik in schone ruimtes van klasse 1–100; de verbindingen zijn zo gemaakt dat er geen deeltjes vrijkomen tijdens het gebruik.

SiC on Five-Star Infrared Heating Systems

SiC waferverwerkingverwarmingslamp