Lampu pemanas untuk pemprosesan wafer SiC

Thu, 02 Jul 2026 03:01:43 +0800

Di bilik pemprosesan wafer SiC ini, terdapat wafer berukuran 150 mm yang berada di dalam unit litografi, bersedia untuk proses pembakaran photoresist. Perubahan suhu sebanyak beberapa darjah sahaja sudah cukup untuk mengganggu kawalan dimensi wafer tersebut, dan ini akan menyebabkan kerugian yang besar. Oleh itu, lampu pemanas tersebut bukan sekadar sumber haba biasa – ia perlu berfungsi sebagai alat pemanasan yang tepat.

Apa yang penting dalam reka bentuknya
Lampu pemanas yang digunakan untuk memproses wafer SiC ini dibina menggunakan pengesan inframerah gelombang pendek yang diletakkan dalam pelindung kuarza. Reka bentuk ini memastikan tindak balas yang cepat dan keluaran yang stabil. Kestabilan suhu pada tahap wafer adalah sekitar ±0.1°C, manakala ketepatan tetapan suhu pula adalah sekitar ±0.5°C antara setiap kumpulan wafer yang diproses. Kepadatan tenaga yang dihasilkan sesuai dengan keperluan proses pembakaran photoresist, dan prestasi pemanasan kekal stabil walaupun setelah 5,000 jam penggunaan, dengan penurunan keluaran kurang dari 5%. Kotak lampu ini juga sesuai untuk digunakan dalam lingkungan kelas kebersihan 1–100, dengan sambungan yang kukuh dan lapisan pelindung yang mencegah pembentukan zarah-zarah semasa operasi.

SiC on Five-Star Infrared Heating Systems

Lampu pemanas untuk pemprosesan wafer SiC