Heizlampe für den Bearbeitungsprozess von SiC Wafers

Thu, 02 Jul 2026 03:01:43 +0800

Auf der Fertigungsebene befindet sich eine 150-mm-SiC-Wafer in der Lithografieanlage – bereit für den Prozess der Behandlung mit Photoresist. Selbst geringfügige Temperaturverschiebungen von ein paar Grad können die Kontrolle über die entscheidenden Abmessungen stören und zu erheblichen Kosten führen. Deshalb darf die Heizlampe nicht einfach nur eine Wärmequelle sein – sie muss vielmehr wie ein präzises thermisches Instrument funktionieren.

Was wirklich wichtig ist
Wir haben die Heizlampe für die Verarbeitung von SiC-Wafers so konstruiert, dass sie aus Kurzwellen-Infrarot-Halogenemitttern besteht, die in einer Quarzkapsel untergebracht sind. Dadurch wird eine schnelle Reaktion sowie eine stabile Leistung gewährleistet. Es wird eine Homogenität innerhalb von ±0,1 °C über die gesamte Behandlungszone erreicht; außerdem ist die Genauigkeit der Einstellungen bei verschiedenen Chargen auf ±0,5 °C begrenzt. Die Leistungsdichte passt sich den Anforderungen sowohl bei der weichen als auch bei der harten Behandlung des Photoresists an. Der thermische Zustand bleibt auch nach 5.000 Stunden noch stabil – mit weniger als 5 % Leistungsabfall. Das Gehäuse ist für Reinräume der Klassen 1–100 geeignet; außerdem sorgen die verbundenen Kontakte sowie der Schutzmechanismus dafür, dass während des Betriebs keine Partikel entstehen.

SiC on Five-Star Infrared Heating Systems

Heizlampe für den Bearbeitungsprozess von SiC Wafers