فیبرکیٹ فلور پر، 150 ملی میٹر سائز کے SiC ویفرز لیتھوگرافی سیل میں رکھے جاتے ہیں؛ یہ ویفرز فوٹوریزسٹ کو گرم کرنے کے لئے تیار ہوتے ہیں۔ صرف چند ڈگریوں کا درجہ حرارت میں تغیر بھی اہم پیمائشوں پر اثر ڈال سکتا ہے، اور اس سے بہت نقصان ہوسکتا ہے۔ لہذا، ہیٹر لیمپ صرف ایک حرارتی ذریعہ نہیں ہوسکتا؛ بلکہ اسے ایک قابل اعتماد حرارتی آلے کی طرح کام کرنا ہوتا ہے۔
کیا اہم ہے؟
ہم نے SiC ویفرز کو گرم کرنے والے لیمپ کو کوارٹز کے خول میں موجود شارٹ-ویو انفراریڈ ہیلوجن ایمیٹرز کے ذریعہ تیار کیا ہے؛ تاکہ تیز ردِعمل اور مستحکم آؤٹ پٹ حاصل ہوسکے۔ بیکنگ زون میں ویفر کی سطح پر درجہ حرارت کی یکسانیت ±0.1°C کے اندر رہتی ہے، جبکہ مختلف بیچوں میں درجہ حرارت کی یکسانیت ±0.5°C کے اندر رہتی ہے۔ پاور ڈینسٹی، فوٹوریزسٹ کو نرم یا سخت طریقے سے گرم کرنے کے لئے مناسب ہے؛ اور 5,000 گھنٹوں کے استعمال کے بعد بھی آؤٹ پٹ میں 5% سے کم کمی ہوتی ہے۔ یہ پیکیج کلاس 1–100 کے کلین روم کے معیارات کے مطابق ہے؛ اور اس میں استعمال کیے گئے جوڑوں اور شیلڈنگ کی وجہ سے آپریشن کے دوران کوئی ذرات پیدا نہیں ہوتے۔
SiC ویفرز کی پروسیسنگ کے لئے کیوں مناسب ہے؟
SiC ویفرز کی پروسیسنگ میں حرارتی بجٹ بہت محدود ہے، اور ہر ویفر کی لاگت بہت زیادہ ہے۔ یہ لیمپ، فوٹوریزسٹ کو درست طریقے سے گرم کرنے میں مدد کرتا ہے؛ اس طرح ویفرز کی کوالٹی برقرار رہتی ہے، اور فضول کاموں سے بچا جاسکتا ہے۔ تیز رفتار آپریشن سے سائیکل کا وقت کم ہوتا ہے، اور مستحکم آؤٹ پٹ سے توانائی کی کھپت کم ہوتی ہے۔ یہ ڈیزائن بین الاقوامی سیمی کنڈکٹر آلات کے معیارات کے مطابق ہے؛ لہذا اسے بغیر کسی تبدیلی کے استعمال کیا جاسکتا ہے۔
چند عملی نکات:
انسٹالیشن کے دوران، آلے کے کنیکٹر انٹرفیس کو مناسب طریقے سے جوڑنا ضروری ہے؛ ورنہ یکسانیت متاثر ہوسکتی ہے۔ یہ لیمپ معیاری بیکنگ اسٹیشنوں کے ساتھ کام کرتا ہے، لیکن ریفلیکٹر کی ساخت کو ویفر کے سائز کے مطابق ہونا ضروری ہے۔ استعمال کے بعد فوری طور پر کیلیبریشن کرنا ضروری ہے، تاکہ پروسیس درست رہ سکے۔