ウェーハがリソグラフィーを通過すると、パッケージングラインのダイアタッチ工程へ進む。そこへの引き渡し前に、表面上のあらゆる水分を除去する必要がある。残留すると、アンダーフィル内のボイド、ボンド界面でのデラミネーション、あるいはインライン検査で検出されない潜在的な信頼性低下のリスクを負うことになる。
乾燥工程は単なる待機ではなく、カプセル化工程全体の基礎を作る能動的な熱処理である。
実際に重要なのは、日々安定して制御できることだ。弊社の乾燥モジュールは、基板全体にわたりウェーハレベルでの熱均一性を±0.1℃以内に保ち、クリーンルームクラス1–100で運用され、サイクル中にパーティクルを一切発生させない。
近赤外線（NIR）加熱を用いることで高速かつ非接触のエネルギー供給を実現しており、表面温度は目標値に達するが、内部基板の過剰加熱は避けられる。この温度精度はフォトレジストのベイク工程（ソフトベイク及びハードベイク）に直接反映され、クリティカル寸法の安定制御とスカム不良の低減につながる。熱プロファイルには再現性が組み込まれており、装置は24時間365日ラインの稼働を維持する。
シンプルに言えば、熱エネルギーバジェットを厳密に管理し、ダイアタッチおよび封止工程で同一の表面条件がサイクルごとに維持されることが必要である。均一性を高めることで歩留まりが向上し、段取り替えが迅速化し、一ロットあたりのエネルギー消費量を削減できる。
処理ウィンドウはスループットを損なうことなく拡大され、装置は既存のパッケージングフローにスムーズに組み込まれる。
実務上の注意点として、NIR乾燥は基板の反射率および放射率に敏感であるため、製品ごとの積層構成に応じて熱プロファイルの調整が必要となる。
導入時は排気および給気を装置のエアフローに合わせ、チャンバーとハンドラーの位置を整合させることでパーティクル管理性能を確保する。弊社ではアプリケーションデータおよびインターフェース仕様を提供し、認定時間の短縮を支援する。